厉害！陶瓷散热片魅力居然这么大
特种陶瓷中的陶瓷基板，虽然有很多种类，有片式电阻带的陶瓷基板、厚膜水的混合物集成电路用陶瓷基板、LED用陶瓷基板等。
新纳陶瓷
今天来讲讲最近也很狂烈的陶瓷散热片。目前陶瓷散热片已经在冶金、耐火材料、建材、化工、有色等行业能够得到广泛应用方法，节省用水了大量能源，降低了生产成本。
新纳陶瓷：陶瓷散热片
产品优点：
1、陶瓷本身不蓄热技术，直接散热，速度快，减少了绝缘层对此热效的影响；
2、陶瓷多晶构，起到散热。同比下降条件下，凌驾于市面上大多数导热绝缘材料；
3、陶瓷多向散热性，减缓散热；
新纳陶瓷：陶瓷散热片
4、陶瓷绝缘，高导热、高抗电压、耐高温、耐磨损、高强度、抗氧化、耐酸碱、使用寿命长；
5、有效抗干扰（EMI）、抗静电；
6、天然中有机材料，符合环保要求；
新纳陶瓷：陶瓷散热片
7、体积小、重量轻、强度高、节省空间；
8、氧化铝陶瓷片适用于IC、MOS、三极管、肖特基、IGBT和是需要散热的面热源；
9、不光适用规定于大功率设备，对设计空间都讲究轻、薄、短、小的特别可以参照。
新纳陶瓷：陶瓷散热片
产品运用：
1、陶瓷散热片通常应用形式于大功率设备、ICMOS管、IGBT贴片式导热主绝缘、低频率电源、通讯、机械设备，强电流、高电压、高温等必须导热散热绝缘的产品部件。
2、LED灯光、超高频焊机、功放/音响、功率晶体管、电源模块、芯片IC、逆变器、网络/宽频、UPS电源、大功率设备等。
新纳陶瓷：陶瓷散热片运用-光伏逆变器
新纳陶瓷：陶瓷散热片运用-LED工矿灯
新纳陶瓷：陶瓷散热片运用-压缩机片
反正，陶瓷散热片的规格很多，特殊尺寸是是可以加工定制的。陶瓷散热片能够较高的性能，应用的领域越加应用广泛。
氮化铝陶瓷基板材料适合功率半导体的应用
不时降下来的芯片结温会给功率半导体给予可靠性和性能问题，虽说更高的热性能正常情况伴随着材料成本的转弱减少。但是一种新的氮化铝陶瓷基板需要提供了一种解决方案，也可以修补96%氧化铝和民间氮化铝之间的成本和热性能差距。
氮化铝陶瓷围坝板
在有据可查的是，不时升高多少的芯片结温会给功率半导体受到许多可靠性和性能问题，或者freescale麻烦问下热管理的白皮书列一了以上与高结温相关的功率半导体问题；
·漏电流增加
·栅极氧化物降解更快
·离子杂质更很容易移动
·机械应力减少
·二极管朝电压突然失效
·MOSFET导通电阻增强
·MOSFET阈值电压迅速下降
·双极晶体管开关速度变慢
·双极晶体管增益不等于逐渐下降
·击穿电压趋于增强
·晶体管安全工作区降低
陶瓷线路板
但，封装在功率半导体运用中的主要注意作用之一是最有效地从半导体器件中祛除热量，这确实是最高功率器件常规成本更高的陶瓷封装方法选项（的或然后键合铜（DBC）和真接镀铜（DPC））的最关键原因之一。这对这个类型的封装技术，厚铜（电镀或铜箔）与氧化铝96%、氮化铝、氧化锆增韧氧化铝（ZTA）或氮化硅制成的陶瓷基板沾合。图1列一了这些个完全不同陶瓷材料的热导率，和查找陶瓷成本。
图1
陶瓷封装材料的性能从使用96%氧化铝作为相对于成本基础的图1中也可以很清楚地看出来，更高的热性能紧接着材料成本的利多增加。我们将具体描述一种基于组件氮化铝陶瓷基板的解决方案，从成本和热性能的角度判断，该解决方案将可以提供两种96%氧化铝和比较传统氮化铝之间的解决方案。
一、为什么氮化硅会太贵
总之陶瓷基板（AIN）是高热需求应用的理想选择，毕竟它加强了高导热性和4.5ppm/C的中等CTE。但AIN的成本系数是氧化铝的8倍左右吧，极高地没限制了它的应用。氮化铝陶瓷基板目前用于功率半导体裸芯片，但仅在没有其余六逆重生疗法替代方案的情况下在用。功率半导体市场的高低成本压力以及封装所需的总器件成本的不大一部分，提升了尽量会减少高成本氮化铝在用的压力。
氮化铝陶瓷基板
二、用于高热需求应用方法的研制开发氮化铝陶瓷基板材料
如今早变更土地性质出一种新材料，它合适氧化铝和悠久的传统氮化铝之间的成本/性能（差距）。这种被标记为“HBLED Grade氮化铝”的新材料的主要特点（导致它比较适合高亮度LED市场）是低得多的粉末和工艺成本，氧化铝和比较传统氮化铝之间的导热性包括黑色在可见光中本身垂直距离反射性。那样的新材料是成本和热性能也很最关键的高功率半导体应用的实现理想材料。
冰箱制冷片陶瓷基板
开发研制HBLED级氮化铝的热导率为100w/mk，是氧化铝的5倍。但比民间的氮化铝低42%，这是对大多数功率半导体应用对于绝对没有问题。机械、电气和物理特性与民间的氮化铝太相象。一个相当关键是的因素是，这种新的氮化铝材料使用了成本低得多的氮化铝粉末，该粉末是实际铝金属的“真接氮化”做成的，这种粉末大多比电子应用方法中在用的比较传统碳热还原粉末贵60~75%。
再者，HBLED氮化铝的加工温度为1700~1725℃，在这种温度范围内，是可以不使用氧化铝隔热板和钼加热元件的尝试炉。可是比低温氧化铝烧结炉更高级货，但从从完全不同产量的角度来说，与高温熔金属或石墨间歇炉中的悠久的传统氮化铝全面处理两者相比，这是一个显着的改进。
图2
图2新发明较低成本氮化铝等级，灰色瓷砖尺寸为4.53英寸。正方形它在用比较传统的氮化铝基底材料（在本例中为2二次方英寸）显示。
我们专注心于一种新的氮化铝陶瓷基板技术，在从成本/性能的角度而言，这些材料割离了当前高导热性、高成本氮化铝之间的庞大无比差距，包括较低的热性能，较高成本的氧化铝。
dpc陶瓷基板
对此该技术的重点应用，和功率半导体和HBLED封装方法，100W/mk的热性能都不成问题。导致那些个应用更具水平距离成本竞争力，在内目前功率器件的高封装成本，并且的很比较适合成本结构显着降低的新材料。与此同时这样的材料的应用范围更广，预计2020年它将在许多现在已经由氧化铝提供服务的应用中激烈的竞争。
