HBM产业链专题报告：AI算力核心载体，产业链迎发展良机
1.1、HBM晋阶了内存容量与带宽瓶颈，性能比较优势突出
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，突破了内存容量与带宽瓶颈，被更视新一代DRAM解决方案。其建议使用先进科学的封装方法（如TSV硅通孔技术）平行叠层多个DRAM，并与GPU封装在一起。相较于最常见的一种的GDDR5内存，HBM手中掌握着更高的带宽，利多提高了数据容量和传输速率，但是完全相同功耗下具备超3倍的性能表现，和更小的芯片面积。
具体很明显，HBMperstack和GDDRperchip的标准参数对比之下，从单体可扩展容量、带宽、功耗上HBM整体效果更优GDDR。比起GDDR，HBM通常有以上几个优点：1.可扩展更大容量：HBM具高可扩展更大容量的特性。HBM的单层DRAM芯片容量可扩展；HBM层、8层甚而12层堆叠的DRAM芯片，可基于大得多的存储容量；HBM是可以是从SiP集成主板多个HBM叠层DRAM芯片，最终达到实现更大的内存容量。2.更低功耗：而需要了TSV和微凸块技术，DRAM裸片与处理器间利用了较短的信号传输路径和较低的单引脚I/O速度和I/O电压，使HBM具备更合适的内存功耗能效特性。3.更小体积：在硬件集成方面，HBM将此刻在PCB板上的DDR内存颗粒和CPU芯片一起所有集成到SiP里，而HBM在节约时间产品空间方面也更具个性优势。
HBM发展历程
自2014年首款HBM产品发布至今，HBM技术也发展至第五代，分别是：HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代），HBM芯片容量从1GB你升级至24GB，带宽从128GB/s提升到至1.2TB/s，数据传输速率从1Gbps提高至9.2Gbps。HBM：2013年10月，JEDEC首页了第一个HBM标准JESD235A；2014年SK Hynix和AMD下达命令联合开发TSVHBM产品；2015年6月，SK Hynix很快推出HBM1，需要4×2Gbit29nm工艺DRAM堆叠，该芯片被作用于AMD GPU等产品。HBM2：2016年1月，三星隆重的宣布结束大规模量产4GBHBM2DRAM，并在同一年内生产出来8GBHBM2DRAM；2018年11月，JEDEC先发布了JESD235B标准，即HBM2技术，允许最多12层TSV叠堆；2018年三星再一次推出Aquabolt（HBM2），数据带宽3.7GB/s。SK Hynix紧随其后很快推出HBM2产品，常规伪通道模式优化内存访问并降低网络延迟，想提高管用带宽。
HBM2E：2020年1月，JEDEC没更新先发布HBM技术标准JESD235C，并于2021年2月自动更新为JESD235D，即HBM2E；2019年，三星再推出Flashbolt（HBM2E），叠堆8个16GbitDRAM芯片。SK Hynix在2020年7月再推出了HBM2E产品，是当时业界速度最快的DRAM解决方案。目前HBM2E是HBM市场的大型网游产品。HBM3：2022年1月，JEDEC公告了HBM3高带宽内存标准JESD238，学习拓展至实际接受32个通道，并化入片上总结规律（ECC）技术；SK Hynix在2021年10月开嘶嘶全球首款HBM3，容量为HBM2E的1.5x，运行带宽为HBM2E的2x。
HBM3E：2024年2月，三星已就开始向客户能提供HBM3E12H样品，顺利的话于24H2半年就开始大规模大规模量产；2024年2月，美光正在量产中HBM3E芯片，将应用方法于英伟达H200；2024年3月，SK 海力士结束可以量产HBM3E芯片。
从HBM各代需求比例判断，参照Trendforce，2023年需求从HBM2E逐步降低转向HBM3，需求占比约为50%及39%。紧接着不使用HBM3的AI芯片陆续放量上涨，2024年HBM3市场需求将转弱增长的速度，占比估计达60%。
1.2、AI算力驱动HBM需求爆发
与此同时AI不停渗透云端/电商服务、智能制造、金融保险、智慧医疗及智能驾驶辅助等行业，AI服务器与性价比高GPU需求断的大幅上涨，并很大的机会持续带动HBM市场规模再增长。与民间DRAM比起，HBM应具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，是可以更快AI数据处理速度，更范围问题于ChatGPT等高性能计算场景。当前ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）模型需要在用AI服务器参与训练与推理，其中训练侧AI服务器基本是需要区分中高端GPU，如NvidiaA100/H100等，其中HBM的渗透率靠近100%；而推理侧紧接着AIGC模型渐渐地急切化，AI服务器采用中高端GPU将是发展趋势，并很大的机会缓慢加快HBM渗透率也将迅速修为提升。根据TrendForce，预计2023年AI服务器（真包含高通骁龙675处理器GPU、FPGA、ASIC等）出货量近120万台，同比增长38.4%，占整体服务器出货量近9%，至2026年将占15%，2022~2026年AI服务器出货量年复合增长率至22%。
依据什么TrendForce，预计2020年2024年全球通常云服务厂商（CSP）Microsoft、Google、AWS、Meta对高端点AI服务器（真包含搭载NVIDIA、AMD或那些主流ASIC芯片等）全球需求占比分别达20.2%、16.6%、16%及10.8%，共值将超过60%。
1.3、HBM速度迭代，存储大厂积极地扩产
从竞争格局判断，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK 海力士50%、三星约40%、美光约10%，SK 海力士因必须具备先发优势，为NVIDIA能提供HBM3，目前市场份额保持领先的地位，而2024年三星将正在逐渐扩大对NVIDIA的HBM3供应，美光也开始批量生产HBM3E，三星和美光肯定能够逐步扩大在HBM市场份额。
HBM厂商最新进展：SK 海力士：2013年公司与AMD合作开发了全球首款HBM，并缓慢研发生产出HBM迭代产品HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E。公司计划在2024H1将HBM3E投入量产中。2026年计划第六代HBM4。三星：2016年公司所推出HBM2，2020年2月HBM2E，2021年2月会推出了HBMPIM（存算一体），其HBM3也于2022年量产，24年公告首款HBM3E。目前公司已向客户需要提供HBM3E12H样品，估计于24H2又开始极大规模可以量产。美光：公司选择进不了第四代HBM3，再布局第五代HBM3E。2023年9月推出HBM3E，并于24年2月26日做出了决定已开始批量生产HBM3E解决方案。其中24GB8-HighHBM3E将曾经的NVIDIA H200 Tensor Core GPU的一部分，该GPU将于2024年第二季度又开始发货。
受全球GPU需求减弱高增长，HBM领域的主要注意供应商SK 海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂正加大产能扩张力度。SK 海力士：预计2024年HBM产能同比双倍增长的速度，同时，SK 海力士不仅仅目标是在美国印第安纳州修建一座最先进的制造工厂，还计划与闪存制造商铠侠在日本同盟协议生产HBM。此外，SK 海力士还计划中在2024年一直保持10万亿万韩元的新增加资本支出（比2023年增长的速度了近七成），以意见HBM产能增长。三星：预计HBM芯片产量将比2023年会增长2.5倍，2025年将再一次四倍。三星目前已收购1韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM成产。美光：今年资本开支约75亿美圆至80亿欧元，要注意应用于HBM大规模量产。至于，公司于2023年11月6日在台中设有会计了新工厂，将致力于提供大规模生产HBM3E在内其他产品。
2.1、HBM制造给他获得技术需求，TSV、键合等拥有关键是工艺
如前文所述，HBM由数个DRAM颗粒和基础/逻辑颗粒（Base/Logic Die）互相垂直堆叠横列，余者一般会需要CoWoS工艺，将HBM与GPU/CPU/SoC是从中介层（Interposer）集成在同一封装体中，终于不能形成AI/HPC等应用所需的芯片。
HBM的制造工艺流程要注意和：前道晶圆制造、TSV工艺，然后再对其进行晶圆测试，不数日在测试成绩合格的晶圆左右两面接受Bumping（凸块）工艺，凸块不能形成后便这个可以并且数个DRAM芯片的Stacking（叠堆）工艺，并和基础晶圆参与模塑，自然形成模制晶圆，锯怎么制作成KGSD（Known Good Stacked Die，良品叠层裸片），便可以不送至2.5D裸芯片体的客户手中参与后续和GPU/CPU/SoC的封装工艺。
简单的方法，导致HBM是由数颗DRAM堆叠而成，但看样子也必须先将DRAM晶圆生产制造不出来，这一过程和前道晶圆制造一致，也是需要当经过光刻、蚀刻、沉积、可以清洗、CMP喷砂、涂胶显影、离子注入、热处理，和检测量测等工艺环节。
在正常吗的晶圆前道能制造成功后，HBM中的晶圆还要进行TSV工艺和Bumping工艺，为后续裸片之间的互连和层层堆叠提供基础，该工艺也HBM产品两者相比典型半导体产品制造的核心增量工艺之一。
TSV（Through Silicon Via，硅通孔）
的本质是，是在所有的硅晶圆厚度上打孔的技术，从而在晶圆正面和背面互相间形成垂直互连，初几作用于其它的东西焊球，优势取决于人信号传输路径更短（垂线互连，信号直接上下传输）、引脚数量强力反弹提升以及布线更便捷简单啊（表面贴装无法利用芯片中心空间且布线急切）、封装尺寸较小。因此，TSV逐渐地下一界修为提升DRAM性能和密度的有用手段。
工序方面，硅通孔通常也由前道晶圆生产Fab厂来成功，建议使用曝光及刻蚀工艺工艺（形成深槽）、沉积工艺（CVD形成绝缘膜，PVD和电镀自然形成金属层和电镀铜层）、CMP喷砂工艺（来使平整度高），最后再通过后端金属化为凸块的制造和堆叠做准备。简单通俗来说，原来Fab厂需并且前端器件制造和后端金属化环节，TSV则额外又减少了无法形成硅通孔的环节，要注意确实是离子注入、沉积、喷砂等步骤。
硅通孔及金属化工序完成后，如大多晶圆加工一样，Fab厂需对己通过晶圆测试（CircuitProbing，CP测试），实际探针台（标准封装前的晶圆需自身探针台来能够完成和测试机的电气连接）和测试机的配合建议使用，对晶圆上的裸片die参与测试。以保证在芯片封装前，尽很有可能地把生效芯片筛选出去以节约下来裸芯片费用。CP测试3是抽检样品。
Bumping（凸块）
晶圆测试成功后，良品晶圆便也可以在正面和背面制作凸块。Bumping工艺是FlipChip封装方法、晶圆级封装等具体方法的一种工艺，在焊盘上制做凸块来与基板连接上，以代替民间的引线键合。其牵涉工艺也比较多为沉积（如PVD、电镀）、爆光、离子注入等，况且结果的成型后环节常区分回流焊（Reflow）工艺。FlipChip标准封装通常只在晶圆正面制做凸块，而在HBM的TSV工艺中，则要在晶圆正面和背面都制作凸块，以便于后续和上下裸片层层堆叠。
至于，在HBM的TSV和Bumping工艺流程中，还不需要参与的其余比较多工序则包括减薄和抛光处理、临时键合达成谅解键合等。减薄和抛光，在挡住凸块连成然后、背面凸块无法形成之前，要对背面通过TSV铜不暴漏，即是说将晶圆背面磨细减薄至电镀铜柱的一端不暴露进去。然后再进行CMP抛光使晶圆表面崎岖化。
同时，是对HBM中的晶圆可以说，导致必须通过多个裸片的堆叠（HBM3已经可超过十万12层），并且单个晶圆的厚度要至少极薄点程度，对减薄工艺提出来了十分严苛的要求。
键合工艺
临时键合和解键合，在背面凸块工艺之后，要先对早就成功凸块的晶圆正面进行临时键合工艺，其主要注意作用只是相对而言解决超薄晶圆的取放问题，即，在对晶圆背面并且凸块制作工艺时，将晶圆正面和晶圆载片接受临时键合，以发挥作用容纳和破坏晶圆那面的作用。而等背面凸块也已自己制作能完成后，则不需要将晶圆载片与晶圆正面解键合，以进行后续叠层工艺。临时键合首先要将粘结剂（液态粘结膜或液态临时键合胶）涂于载片或晶圆，然后使用热压键合或UV转化成使其键合牢实；解键合的比较多有机械解键合法、热弯扭解键合不合法、化学解键受法律保护、激光解键合不合法等。
而在TSV及Bumping工艺结束后，基本便直接进入到Stacking（层层堆叠）环节，即按照特殊键合方法将DRAM叠层再连接下来，具体详细方法以及TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding等。
TCB（Thermal Compression Bonding，热压键法律有规定）是一种正确的倒装键合和晶圆键合的方法，以倒装键合为例，基板在涂敷助焊剂后，被真空吸附作用单独计算在定制的加热板上，贴片头（bondhead）吸起裸片后真空吸附作用在光滑平整的完美贴合吸头（nozzle）下，完成光学对位后，是从加热至锡球融化温度包括得到裸片适当压力，使凸点与基板连接，到最后迅速急速降温焊+固相。TCB方法单次如何处理必须时间较短，但因此不是批量处理，并且吞吐量总体较小，设备价值量也相对过低。而在间距小、厚度薄的键合，和对准精度较高的键合方面，TCB方法更具一定优势。
MR（MassReflow，批量回流焊法），虽然是主谓倒装键合建议使用相对于应用广泛的方法之一，具体指的是，将芯片上的凸块先浸蘸助焊剂，并贴在基板上，然后进入到回流炉，在某一特定的温度上升急速降温下，凸焊接后球会熔化为液态，在润湿铜微柱的过程中设计和实现表面张力让芯片压力降低对位，后来在降温后作用下变成固相连接到。
回流焊单次如何处理时间较长，但而这个可以批量处理，因此产量和效率大多比TCB方法高，劣势则只是相对而言：对于超薄产品而言，其缺陷率又开始增强，除开内部应力、无接触式服务性连接断开、局部桥接等；以及间距越小、芯片越大，位置偏移突然失效肯定越极为严重。
而NCF、MUF则指的是底部填充工艺所是用有所不同方法，该工艺主要注意是是从填充基板与芯片间的空隙、或以凸块连接的芯片与芯片之间的空隙，增加了连接部分处的可靠性。除开NCF（Non Conductive Film，非导电膜）和MUF（Molded Underfill，模制底部填充）外，还通常以及CUF（Capillary Underfill，毛细底部再填充）和NCP（Non Conductive Paste，非导电浆料）。
所以是从差别的键合和底部图案填充的结合，便不能形成了有所不同的方法，当前HBM中常得用则比较多为TC-NCF法和MR-MUF法，如则是为HBM3E产品，SK 海力士使在用AdvancedMR-MUF法，而三星则可以使用了TC-NCF法。
MR-MUF是用特制的EMC真接结束缝隙再填充和模塑过程，在较低压力和室温下便可结束，而TC-NCF则要用NCF材料在高温高压下参与。此外，MR-MUF可一次性将所有芯片间以及和基板间的连接能够完成，批量处理、吞吐量更高。
Hybrid Bonding（混合键合），是继芯片粘接、倒装语序键合、TCB键合、抡出式封装后最新一代的键合。指的是同时键合金属电极（如铜电极）和无机绝缘层的方法。导致铜对铜、绝缘层对绝缘层很好地贴合键合，因为在晶圆间或芯片间就没空隙，不是需要用环氧树脂通过填充后。
水配键合的主要步骤除开等离子活性化、清洗、晶圆瞄准、预键合、退火。其优势取决于人可以不基于更小的间距、更高的互连密度、更短的互连距离，而缺点只在于：键合要暴高平整度，内部应力必须管控以会减少内部应力度，都对后道工艺控制提出来了极为严格要求；对干净无尘等级提出来了远不考虑比较传统封测厂的要求；晶圆对晶圆（WafertoWafer）键合时，没能在最初阶段就知道无法激活die，要在能完成键合、减薄、划片、测试3后才能明白，并且良率受影响。
数日之前混合键合已在一些领域得到应用，.例如背照式CIS中光电二极管+DRAM+逻辑电路的叠堆，3D NAND中NANDblock和外围电路的叠堆和。未来HBM也非常有希望不使用调和键合方法来完成多层芯片的叠堆键合。
而在堆叠、键合工艺以及塑封工艺（MR-MUF方法中，通过不使用铁制环氧塑封料，键合和塑封是在同一个步骤成功的）能完成后，HBM便基本制造出来能完成，对其测量后良品便也可以送至2.5D封装体客户来并且HBM和GPU/CPU/SoC的集成主板封装。以CoWoS为例，通常环节除开：Interposer（中介层）制作，核心工艺也为TSV工艺，这些RDL工艺，具体工序也通常以及沉积、光刻、电镀、刻蚀、刷洗、抛光后等；芯片和中介层的直接连接键合在内中介层和基板的连接键合，工序主要除开倒装语序键合、塑封等，不再重复赘叙。
根据3DInCities早期的测算，4层DRAM堆叠的HBM成本中，前端工艺（FEOL）、后端工艺（BEOL，金属化等）各自占约20%，TSV创建战队（深硅刻蚀工艺、沉积、电镀、CMP抛光等）和TSV被人发现（减薄等）分别占约18%和12%，整体封装（键合等，以总体更贵的TCB键合为测算基础）占约15%，凸块和测试出来则分别占约3%、1%。而在4层堆叠和ASIC集成显卡的2.5D整体封装成本中，则通常和原始中介层成本、前端工艺和后端工艺（主要注意为中介层的RDL）、TSV创建战队和不暴漏、凸块、封装等工艺成本。
2.2、海内外HBM产能进出有序建设，驱动上游设备订单增涨
在HBM制造和封测过程中，DRAM晶圆本身的制造自无需说，即使是封测环节，也较悠久的传统封装更源源不断应用了典型的制造工序。不论是TSV工艺、RDL工艺肯定Bumping工艺，刻蚀、沉积、喷砂、媒体曝光等均占了较高比例。
其实，在HBM及强盗团的2.5D封测中，也会应用传统封测工艺，如测量、划片、塑封、减薄等，且部分工艺及其设备的重要性最为特别显著、要求也极为不是很严。
减薄机
导致HBM是4层就连12层DRAM和基础logic的叠层，单片晶圆要减薄邪异薄的程度，这便对减薄工艺以及减薄设备都提出来了颇为苛刻的要求。全球晶圆减薄机市场的规模约6+亿港币，主要由日本DISCO、东京精密机械等厂商主导，尤其是DISCO份额较高。国内华海清科等厂商也有所突破，如华海清科布局减薄设备和减薄抛光后一体设备，部分产品已客户验证并获得订单。
测试设备
测试主要以及CP测试和FT测试3（completionTest），主要注意用到探针台、测试机、分选台等设备。HBM的测试有着新的挑战，除开：最高的密度和层数会造成测试3时间变长，更高的接口速度具体的要求更快的测试速度以及外围电路负载提升，在内HBM堆叠和减薄给他的良率问题停止了对测试出来的要求。
之外比较传统的制造和封测工序以外，HBM的封测过程中部分工序是获得再新增或者重要性更加突显、增量显著的，如：
电镀设备
电镀是指在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面不能形成金属互连。在封装领域，Bumping、TSV、RDL等工艺中均不需要金属化光刻工艺，因此常常规电镀来并且铜、镍、锡、银、金等金属的沉积，尤其是电镀铜应用较低。全球半导体电镀设备行业规模约8亿美圆，其中，前道电镀设备比较多由Lam Research一家垄断；后道裸芯片领域有AMAT、Lam Research、Ebara、ASMP等厂商，其中ASMP的nexx系列产品要注意为82英寸产品，而Ebara的产品在中国应用较多。国内盛美上海（我司科创板做市企业）已实现程序好一点销售。
直写光刻机
在封装领域，Bumping、TSV、RDL等工艺均不需要都用到爆光环节，除开应用广泛的掩膜光刻技术外，直写光刻也慢慢的应用到趋多，通常是的原因先进封装对于射向精度要求高，直写刻蚀在此方面更突出优势，且导致不必须涂光刻胶，而表面变形情况会得到增加。2022年全球激光直写光刻技术设备潜在市场规模约8+亿美金，其中PCB下游占比较高。市场主要注意参与者和Orbotech（已被KLA收购1）等。国内芯碁微装在先进封装领域早基于突破。
贴片固晶机（Die Attach Equipment）
这对传统引线封装对于，要贴片和表面贴装两个步骤来能够完成芯片和基板间的电气连接，而自倒装句标准封装就开始，由于无须引线，因此贴片和键合步骤一般说来合并至倒装键合（Flipchipbonding）。而键合工艺则是是HBM极其关键的核心工艺之一，HBM正确的键合方法与倒装键合确切一致，通常除开TCB热压键合、MR批量回流焊等。
全球贴片机市场的规模约16亿港币，是封装方法设备中占比较比较大的一类设备，其中，倒装键合机行业规模为数亿美圆。该类设备全球市场通常由Besi、ASMPT、K&S、HANMI等海外厂商从属地位。
混和键合
伴随着2.5D/3D标准封装等异构集成技术发展，晶圆键合（WaferBonding）蓝月帝国其至关重要的是的技术之一，除此之外和倒装键合一样依然可以可以使用TCB等方法外，水配键合等方法也渐渐地兴起之时。具体判断，晶圆键合可分为就键合（如熔融键合和混合键合）、介质层键合（如TCB键合、焊料键合等）。而依据什么键合后有无解键合，又分为临时键合和迷彩awp键合。据Yole统计，2020年全球迷彩awp键合设备潜在市场规模约2.6亿欧元，临时键合及解键合设备市场的规模约1.06亿欧元，而近年多芯片快速发展，我们确认晶圆键合的需求和设备市场的规模增速真心积极乐观。
如前文所述，水的混合物键合作为一种快速发展的就键合方法，通过铜对铜、绝缘层对绝缘层完全贴合键合，在晶圆间或芯片间是没有空隙，不要用环氧树脂进行再填充。而依据什么键合的产品有所不同，水配键合犹如其余晶圆键合一样，可分为D2D（DiewantDie，裸片对裸片）键合、D2W（DieneedWafer，裸片对晶圆）键合、W2W（WaferneedWafer）键合。
HBM未来非常有希望区分混合键合，的原因混合键合是就键合、你不环氧塑封料填充，但可以不基于更厚一点HBM厚度或更多层的DRAM叠堆。目前混合键合在生机蓬勃发展起来的早期，设备出货量和市场规模还低些相对大，未来与此同时存储和逻辑等领域均非常有希望许多区分混合键合，其设备市场想象空间巨型。当前全球晶圆键合设备通常由EVGroup、Besi等少数海外厂商从属地位，而国内拓荆科技（混合键合设备）、中微公司（临时键合最终和解键合设备）、上海微电子等厂商也在稳定有序布局和突破。
2.3、HBM扩产头驾上游材料需求，国产替代空间广阔
HBM的工艺流程中，晶圆制造、TSV等工艺都却会要用光敏材料、抛光材料、湿电子化学品等材料，同时Bumping、TSV工艺以及封装过程中也会源源不断都用到封装材料。2022年全球封装材料行业规模约280亿港币，其中以封装基板规模的最，引线框架、引线/键合丝、塑封料等也有减小占比。
其中：环氧塑封料，是主要是用于半导体封装的一种热固性化学材料，是由环氧树脂为基体树脂，以更高性能酚醛树脂为固化剂，参加硅微粉等填料，以及添加不同成分助剂加工而成，主要功能为完全保护半导体芯片不受外界环境（水汽、温度、污染等）的影响，并实现方法导热、绝缘、耐湿、耐压、勉力支撑等复合功能。塑封高端方法比较多为注塑成型法和压缩后成型法，前者将环氧树脂熔化成液态，施加压力使其流入模具并图案填充间隙，以自然形成塑封；后者在模具中会预先再填充环氧树脂模塑料粉末，基板盛有模具中后，而后受到热量和压力，粉末液态崩散。
以及模塑环节的核心材料，环氧塑封料在HBM的制造过程中的重要性较其它封装进一步进阶，要注意是是因为HBM龙头SK 海力士自HBM2E开始需要MR-MUF方法。一方面，MUF（Molded Underfill，模塑底部图案填充）方法是将底填和塑封两种工艺整合，环氧塑封料以外常见的塑封作用外，还应用于填充后芯片间或芯片和基板间的缝隙，指挥了底部再填充胶的作用；另一方面，大多数当然，TCB方法更区分于间距小、厚度薄、打向精度要求高的键合，而MR方法在处理厚度薄、间距小的晶圆时更易才能产生内部应力、射向偏移等问题，而，SK 海力士需按结构改进后的环氧塑封料，并运用新发明的MR-MUF技术来强行突破壁垒。目前全球环氧塑封料市场主要注意由住友电木、日立凝成等厂商主导一切，国内以华海诚科、衡所华威等为代表的厂商在传统封装用环氧塑封料也实现程序了好点的国产化突破，部分应用领域在国内市场已连成主导地位或与海外非常，但在QFN、BGA等先进封装领域销售规模还低些较小，在MUF、FOWLP等领域尚正处于布局阶段。
封装基板
封装基板是主要是用于整体封装内部芯片和外部印刷电路板之间的电气连接的基板产品，能够为芯片提供电连接、保护、能支撑和散热等作用。所以，在HBM和GPU集成显卡的2.5D标准封装过程，如CoWoS工艺中，要采购封装基板。依据什么Prismark，遵循产品分类，封装基板可简单的分为FCPGA/LGA/BGA、FCCSP/FCBOC、WB PBGA/CSP、SIP/Module四类。2022年封装基板行业规模预计在164.7亿美圆，其中FCBGA/PGA/LGA占比大的、最多一半，且未来顺利的话将达到快的话增速。况且，SIP/Module也将达到较快纯增速。
从材料很明显，封装基板所是用树脂材料通常分为下载bt材料和ABF材料：bt下载载板具有玻纤纱层，较ABF材料的FC基板更硬，都很难电源布线，钻孔难度高，难以柯西-黎曼方程细线路的要求，通常运用于存储芯片、MEMS芯片、RF芯片与LED芯片，应用终端要注意为智能手机等类别繁多移动设备。ABF树脂可做成较细线路、适合我高脚数、高传输的IC整体封装，通常由日本味之素生产的产品，基本是FCBGA的标准的配置材料。ABF载板比较多主要是用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能计算（HPC）芯片FC整体封装。的原因IC载板技术难度高，需要多年积累，具备先发优势的日本、韩国和中国台湾厂商占据地了行业的主要注意份额，且头部效应肯定。2021年，欣兴集团、揖斐电和三星电机分别占15%、14%和11%，遥居前三，共数量占比将近40%。中国大陆的深南电路、珠海越亚、兴森科技、普诺威共有数量占比在5%左右吧。
同时，先进封装不断地发展趋势下，许多环节和前道能制造渐渐地靠近或相仿，HBM作为按结构了2.5D/3D封装这种代表上帝先进封装最前沿科技的产品，恐怕也应用了较少先进封装和前道能制造材料，要注意除了：
电镀化学品
真空电镀液是电镀工艺建议使用的配方型化学品，由主盐、导电剂、螯合物剂及各形电镀添加剂混编，其中电镀添加剂是影响电镀功能的核心组分。金属电镀添加剂正常情况在电镀液中含量极少，但更具显著改善电镀液和镀层的其它物理性能的作用，可利用平整镀层表面、减少电极与溶液界面张力、提高镀层韧性、减少镀层内应力或使镀层结晶更加细致等功能。不完全适合电镀添加剂的电镀液无法工作，又不能镀出考试合格的镀层。金属电镀效果由各组分的品质、配比、化学特性，这些电镀工艺参数（温度、电流密度、阳极氧化时间等）联合起来决定。据TECHCET数据，2023年全球半导体电镀化学品潜在市场规模约9.9亿美元，最迟2024年将同比增长5.6%至10.47亿美元，2027年将都没有达到约12亿美元。半导体电镀液市场中，铜互连电镀约6+亿美金，镀银锡/锡近1亿欧元，先进封装镀铜约3+亿港币，镀镍也有一定市场。而依据中国电子材料行业协会的数据，2021年国内集成电路整体封装用电镀液及配套试剂市场需求为1.5万吨，其中先进封装和传统封装的需求量比例总共为1:2。
格局方面，全球电镀液要注意供应商除开美国杜邦、日本石原等，国内上海新阳、艾森股份等厂商也基于了较高国产化率，封装方法领域超过50%，尤其是传统整体封装领域远远超过75%。
光刻工艺材料
在先进封装过程中用到的光刻材料以及裸芯片光刻胶和封装PSPI光刻胶。光刻胶和PSPI均由光敏剂、高分子树脂材料和有机溶剂构成，且两类材料在光照后均会改变材料的基本上特性。但因此应用的不同，在树脂结构等方面会修真者的存在一定的差异。光刻胶要注意用于具体器件和线路的制作，制做成功后需清洗干净；PSPI主要用于自己制作集成电路中的挡住层，主要用于某种特定绝缘和保护作用，形态能够完成后记录在晶圆上不必彻底去除。
光刻胶方面，据爆光光源波长，又和紫外宽谱（一般主要是用于分立器件）、gline、iline、KrF、ArF、EUV等。而先进封装领域一般要用g/iline光刻胶。全球光刻胶市场的规模约百亿欧元，主要注意下游为半导体、显示面板、PCB等。半导体光刻胶行业市场规模约26亿美金，其中g/iline占比相对较小。而据中国电子材料行业协会的数据，2022年中国封装用g/iline光刻胶潜在市场规模约5.5亿元。市场格局方面，主要注意由日本TOK、日本JSR、美国杜邦、日本信越化学等主导一切，整体封装领域也带有，由日本TOK、日本JSR、美国杜邦、德国默克等厂商制约。国内厂商彤程新材（北京科华）、徐州博康、晶瑞电材等在半导体领域也已经实现方法了一定程度的好一点突破。
PSPI方面，全球潜在市场规模约3+亿港币，下游包括面板、封装方法等，未来不断先去封装和柔性显示的快速发展，市场肯定能够较快增长。全球PSPI市场要注意由日本Toray主宰地位，国内强力新材、鼎龙股份等厂商在下游领域也基于了一定程度的突破。
3.1、设备厂商
芯碁微装
公司于2015年组建，于2021年没上市，是国际领先的直写刻蚀设备厂商，产品主要用于PCB领域和泛半导体领域。公司在PCB领域，主要注意运用于PCB制造出来过程中的线路层及阻焊层网络曝光环节，业务从单层板、多层板、可弯曲板等PCB中高阶市场向类载板、IC载板等高阶市场宽度去拓展。在泛半导体领域，应用场景范围涵盖IC封装、先进封装、FPD面板显示、IC掩模版制版、IC制造等领域，产品布局十分丰富。2022年，公司向引线框架、新型显示等领域进兵，道路扩宽直写光刻工艺研制开发应用场景。在泛半导体领域：IC载板方面，公司目前已富余3-4um解三角形能力，技术指标比肩国际龙头企业；在制版光刻机领域，目前主流制程在100-400nm工艺区间，公司将以最快的速度再推出量产90nm节点制版需求的光刻设备；在晶圆级封装领域，公司的WLP系列产品可应用于8/12inch先进封装领域。在新型显示的Mini/MicroLED标准封装环节中，公司NEX系列产品早就运用于Mini LED整体封装环节中；在引线框架领域，公司实行大客户战略，用来在WLP等半导体封装领域内的产品开发及客户资源积累，牵引蚀刻工艺对传统冲压工艺的替代。
精智达
公司于2011年建立，于2023年没上市。公司是检测设备与系统解决方案提供商，比较多普通机电设备新型显示器件检测设备的研发、生产和销售业务，产品广泛应用于以AMOLED为代表的新型显示器件制造中光学特性、总是显示缺陷、电学特性等功能检测及校准能修复，并逐步向存储测试设备领域向外延伸发展。公司正向半导体存储器件行业布局设置了晶圆测试系统、硬件老化修复系统、封装测试系统等产品线，开展了DRAM测试机及探针卡预研，不能形成了MEMS探针卡连接到系统设计、硬件老化可以修复系统联调及应用等进入阶段技术储备，并实现了部分型号探针卡的批量销售，个别型号测试设备也早进入验正阶段。在AMOLED检测设备领域，公司自然形成了Cell/Module制程的丰富产品线，持续聚焦客户痛点，充分利用经过长时间的积累氯化银的核心技术及年底量产经验，为客户输出低高性价比的检测解决方案，与行业比较多客户合作关系保持稳定。同时，公司积极主动地布局设置Micro-LED、Micro-OLED等碟形不显示领域。公司缓慢拿到Micro-LED查找检测设备订单。发射器会显示领域的无关技术开发、设备验证等工作有序开展。
赛腾股份
公司成立于2001年，于2017年上市后，在消费电子、半导体、新能源等智能组装及检测方面具有较弱的竞争优势和自主创新能力，公司产品通常形象的修辞于消费电子、半导体、新能源等行业，适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、新能源零部件、锂电池、8寸/12寸晶圆等。
公司2019年低价卖Optima刚刚进入半导体领域。Optima主要产品遍布晶圆背面、边缘、挡住、Notch等检测，客户覆盖全球一线晶圆厂商，已在半导体检查和量测设备行业持续深耕多年，拥有深厚的技术积累。未来伴随着半导体检测、量测设备国产替代进程不断地加速，公司未来半导体业务大有机会达到高速增长。
3.2、材料厂商
兴森科技
公司于1993年后成立，于2010年没上市。公司专注于印制电路板产业，在虚空中民间PCB业务（样板快件及批量板）和半导体业务（IC封装基板和半导体测试3板）两大主线开展，产品广泛应用于通信设备、服务器、工业控制及仪器仪表、医疗电子、轨道交通、计算机应用、半导体等多个行业领域。公司是中国本土IC封装基板行业的先行者之一，于2012年投资扩产直接进入IC封装基板行业，学习积累了三星、长电、华天、瑞芯微、紫光等国内外头部芯片设计、标准封装公司。目前，公司强大CSP、FC-CSP、SiP、FMC和PBGA五类产品，最大时线宽/线距为15/15μm，下游应用内容覆盖智能手机、平板电脑、服务器等领域。公司可以做到CSP封装基板产能3.5万平米/月。FCBGA项目方面，珠海FCBGA封装基板项目拟建设产能200万颗/月（约6,000平米/月）的产线，已于2022年12月底建成并完成试产，目前良率减弱提升到，2023年第二季度自动打开客户认证，等待产品认证结束结束后直接进入小批量生产阶段；广州FCBGA封装基板项目拟分期建设2000万颗/月（2万72平方米/月）的产线，一期厂房已于2022年9月能够完成厂房封顶，目前设备安装调试已基本能够完成，已进入内部制程测试阶段。
华海诚科
公司于2010年后成立，于2023年没上市，主要产品为环氧塑封料和电子胶黏剂，是国内少数必须具备芯片级固体和液体封装材料研发大规模量产经验的厂商。公司是国内环氧塑封料龙头，公司应用到于SOT、SOP领域的更高性能类环氧塑封料产品性能已提升到了外资厂商也是非常水平，并在长电科技、华天科技等部分主流厂商逐步降低基于了作为资厂商产品的替代，市场份额持续增长；应用形式于QFN的产品700系列产品已实际长电科技及通富微电等出名客户修改密保，并已实现程序小批量生产与的销售；运用于FC、SiP、FOWLP/FOPLP等先进封装领域的相关产品正逐渐地客户的考核验正，有望逐渐利用产业化。在电子胶黏剂方面，公司重点发展应用到于先进封装的FC底填胶与液态塑封料（LMC），肯定能够逐渐地实现放量。华海诚科已与华天科技、通富微电、长电科技、富满微、扬杰科技、气派科技、银河微电等下游出名厂商建立了长时刻良好的合作关系，并已发展起来下一界部分主要注意封装厂商的第一大环氧塑封料内资供应商。未来，公司低性能塑封料份额提升、先进封装塑封料渐渐地晋入，FC底填胶也将下一界新的增长点。
雅克科技
公司成立于1997年，2010年于深交所上市后。从2016年以来，公司是从一穿越系列并购，不断深化产业布局，新开拓产品更加多元，目前已经拓展了半导体材料前驱体、电子特气、硅微粉以及新型显示材料TFT光刻胶和蓝色光刻胶等业务。目前公司客户涵盖SK 海力士、三星电子、东芝存储器、英特尔、台积电、长江存储、中芯国际、合肥长鑫和上海华虹等海内外品质优良客户。公司前驱体产品类型丰富，是目前国内领先的前驱体厂商之一。公司收购的韩国前驱体厂商UPChemical是国内领先的半导体级SOD和前驱体产品供应商，是全球宗师级储存芯片厂商SK 海力士的核心供应商。目前公司前驱体产品包裹硅类前驱体、High-K前驱体、金属前驱体，在DRAM也可以满足全球最先进科学存储芯片制程1b、200X层以内NAND、逻辑芯片3纳米级别的大规模量产供应。公司投资啊建设的江苏先科宜兴工厂的一些前驱体产品早在客户端做测试，最迟2023年四季度是可以给客户做商业化运作的年底量产供应。
3.3、存储厂商
香农芯创
公司成立于1998年，2015年在创业板上市后，要注意从事外贸电子元器件分销业务，目前已应具备数据存储器、主控芯片、模组等电子元器件产品提供能力，产品广泛应应用于云计算存储（数据中心服务器）、手机、电视、车载产品、智能穿戴、物联网等领域。2023年，公司与大普微等公司同盟协议设立子公司海普储存，直接进入企业级存储领域，业务比较多为SSD存储产品的设计、生产和销售。企业级SSD空间那巨大，国产化率较低。艾瑞咨询预计，到2026年，中国企业级固态硬盘行业规模将增至669亿元，2022-2026年期间纯增速约为23.7%，而PCIe固态硬盘市场份额比例将进一步于2026年增至89.3%。目前，我国企业级SSD市场国产化率较低，长期被国际厂商被垄断，紧接着国家对数据安全自主可控的重视程度不时提高，充当数据存储真接载体的存储器国产化替代需求日益浓烈。公司实际组建海普存储位置，意在击碎技术垄断市场，推进企业级SSD国产替代进程。
佰维存储
公司比较多从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。公司牢牢地不断地半导体存储器产业链，筑建了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面更具核心竞争力，并积极主动地布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域，产品可广泛的运用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。与此同时后摩尔时代的到来，晶圆制程微型艺术品受限，晶圆级先进封装技术在推动芯片高密度集成、性能提升、体积微型化和成本下降等方面的巨大潜力，先进封装技术正拥有集成电路产业发展的新引擎，紧接着凸块去加工与倒装语序、扇入/击出型整体封装、2.5D裸芯片、3D整体封装等先进封装技术的发展和国内产业链逐渐壮大，先进封装市场规模迅速地逐渐扩大。据Yole预测国家，全球先进封装市场肯定能够在2027年至少650亿美圆规模，2021-2027年间年化复合法增速达9.6%，与传统封装而言，先进封装的应用正进一步扩大，估计到2026年先进封装将占到所有的封装市场规模的50%以上。从长期而言，先进封装技术必然与此同时终端应用的升级和对芯片封装性能的提升而生机蓬勃发展起来。公司拟上缴超募资金12亿元，通常应用于重新购置先进科学生产设备，研发先到生产工艺，统合晶圆级先进封测能力。
3.4、封测厂商
通富微电
公司是一家国内领先、世界先进科学的集成电路封装测试服务能提供商，踏实专注于为全球客户需要提供从设计仿真到封装测试的一站式解决方案。公司的产品、技术、服务覆盖了人工智能、高性能计算、大数据存储、不显示驱动、5G等网络通讯、信息终端、消费终端、物联网、汽车电子、工业控制等多个领域，满足的条件了客户的多样化需求。不断ChatGPT等生成式AI应用又出现，人工智能产业化进入新阶段，根据AMD预测，相关产业肯定能够催发数据中心和AI加速器市场由2023年300亿港币市场的规模提升到至2026年1500亿欧元。2023年6月，AMD首页AI芯片MI300，极大进阶了三千多种生成式AI的大语言模型的处理速度。不断高性能运算和AI新出来需求的释放，掰动了新一轮先进封装需求的快速发展。再者，是从并购，公司与AMD形成了“合资+合作”的强强联合模式，建立了密切的战略合作伙伴关系；AMD成功对全球FPGA龙头赛灵思的收购，实现了CPU+GPU+FPGA+AI的多维度布局，双方在客户资源、IP和技术组合上更具相同高度互补性，促进AMD在5G、数据中心和汽车市场上进一步迈进。公司是AMD大的封装测试供应商，占其订单总数的80%以上，未来伴随着大客户资源整合渐入佳境，出现的协同效应将推动半个产业链减弱受惠。
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2024中国深圳半导体产业展览会暨半导体芯片设计与晶圆制造展览会
2024中国深圳半导体产业展览会暨半导体芯片设计与晶圆制造展览会
时间：2024年5月15～17日
地点：深圳国际会展中心(宝安新馆)
大会主题：芯联世界慧创未来
发展前景：
半导体行业的重要性不言而喻，它是特殊高新技术可以升级的基础，渗透于特殊最顶尖技术领域。而中国是半导体消费大国，每年的消费量占全球消费量的三分之一，进口量则高达3000亿港币，这一数据甚至还高于500中国的原油进口量。中国政府对半导体行业的支持是一以贯之的，早在2015年就将和半导体在内的若干行业按照有关规定其“中国制造2025”计划中的关键是行业对其予以政府的扶持。《国家集成电路产业发展推进纲要》则列明到2030年，集成电路产业链主要环节要达到国际先进水平，一批企业再次进入国际第一梯队。
当然了，政府亦重资扶持半导体行业的发展。身负重任着再扶持中国本土芯片产业重任、由国家集成电路产业投资基金股份有限公司运营的国家大基金一期注册资本为987.2亿元，投资总规模达1387亿元。投资项目中，芯片制造占比为67%、芯片设计17%、封测10%、设备和材料类6%。大基金二期的注册资本更是提升2041.5亿元，在投向上，除再意见制造出来环节外，顺利的话将关注高端设备及新材料领域。
详询主办方张先生（同v）
186（前三位）
0215（中间四位）
0282（后面四位）某些详细资料及展位图
在过去的几十年里，第一、二代半导体的开创了欧美和日韩的大企业。但他，中国政府和业界的努力将肯定能够进阶中国在最新一代半导体领域的地位和话语权。那巨大的需求和太远的供应能力为半导体行业在中国的发展人类创造了极高的空间。尽管外围环境阴郁多变化，但半导体仍是一个更具常期发展潜力的行业，这些趋势将在未来数年继续保护。目的是更好地带动半导体行业的发展，在能得到国家各级主管部门的大力支持下，2024中国(深圳)国际半导体展览会将于2024年5月15-17日在深圳国际会展中心（宝安新馆）最隆重举行庆典。决赛当天大会将以“突出品牌、锐意创新、突出实效”的办展宗旨，掌握独特的创意，科学合理的整合传播和卓越的服务，以全新的理念为广大参展商需要提供一个“高水准、高品位、高质量”的展示交流舞台，锻造集半导体行业最具规模，最有价值和最具权威的顶级盛会。第二环节展会将汇聚全球顶尖的半导体企业，展示展示2011版的产品和技术成果。展会将设置多个主题展区，涵盖教育了半导体产业链的各个环节，以及设计、制造出来、封装测试等。况且，展会还将北京举办一最新出的研讨会和论坛，请贴业界专家和企业代表共同探讨行业发展趋势和挑战。我们期盼着您的参与，共同见证这一盛会。让我们相约冲击半导体行业的发展，共创美好未来！
参展理由：
本届展会规模宏大，优势显著，将为您的参展效果提供厚实保障。顺利的话见会观众将远远超过5000015万人次，通过全球招商宣传的霸道强势模式，我们将整合往届展会数据库，精准相邀半导体行业用户莅临可以参观洽谈。我们将根据不同情况无缝衔接，请帖国内外客商。在展馆内、地铁站、酒店等最重要的区域，您将注意到惹眼的广告指示牌。况且，我们还将安排好500多名外语专职人员，将牵涉到此次前来展会领域的专业采购商再分解重组您的展位并且现场采购。本盟展会将助力您开拓市场，培养保证的市场份额。再一次报名参展，您将贵宾级别到全年线上线下的偏文科类宣传服务。宣传范围不属于网站、杂志、报纸、手机报、微博、等新媒体，一次参展，多厚惊喜。我们将跟在后面最新市场发展动态，与您分享互动。首次设置一对一贸易配对会，诚邀不知从何而来线上线下的半导体行业用户采购负责人。观众无论是全球30多个国家和地区，我们将安排一对一的见面洽谈，为您的产品销售提供不可多得途径。
大湾区优势：
与此同时中国制造业从高速增长转而高质量发展，中国政府自2013年起公布并后撤了「一带一路」倡议及「粤港澳大湾区」建设。那些举措的目标是联合与「一带一路」沿线国家建立起新的经贸合作伙伴关系，对内则「粤港澳大湾区」加快构建现代产业体系及多边开放市场，以短短创新驱动高质量发展。
「粤港澳大湾区」建设是指将广东省9个城市（除了广州、深圳、珠海、佛山、惠州、东莞、中山、江门、肇庆）及香港、澳门两个特别行政区，发展起来拥有世界级的城市群及具有全球影响力的国际科技创新中心。透过不断深化粤港澳三地结成联盟及充分发挥各自优势，大湾区将牵引区域发展协同发展，并曾经的「一带一路」形成完整多边经济新平台的最重要勉强支撑。
2019年大湾区的GDP达11.6万亿元人民币，最迟到2030年将达至28.9万亿元人民币，但是挤身于全球十大经济体之列。粤港澳大湾区汇聚两区一省九市的优质资源，将大力建设蓝月帝国具有全球影响力的国际科技创新中心、世界级先进制造业和战略新兴产业集群区，将曾经的继美国纽约、旧金山、日本东京后的第四个世界一流湾区。
创新能力最强和最新区的城市群，发展潜力巨大传统制造业能聚集地：汽车制造、新能源汽车、半导体、家用电器、消费电子、电子信息及装备制造、5G材料、智能制造、高性能材料、节能环保等。
大型展览范围：
◆IC设计：IC及具体电子产品设计、IC产品与应用技术、IC测试方法与测试仪器、IC设计与设计工具、IC制造与封装方法、EDA、IP设计、嵌入式软件、数字电路设计、模拟真实与混合信号电路设计、集成电路布局设计、IDM、Fabless厂等；
◆芯片：人工智能芯片及方案、电源管理芯片、物联网芯片、5G通信芯片及方案、汽车电子芯片、安全控制芯片、模拟集成电路通讯射频芯片、存储芯片、LED照明及显示驱动类芯片等；
◆晶圆制造及封装方法：晶圆制造、SiP先进封装、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圆及IC封装载板、印制电路板、封装基板和设备及组装起来和测试等、裸芯片设计、测什么、设备与应用制造与封测、EDA、MCU、印制电路板、封装基板半导体材料与设备等；
◆集成电路制造：晶圆加工厂、晶圆代工厂、设计模拟集成电路、数字集成电路和数、模混合集成电路制造、集成电路终端产品等；
◆半导体设备制造：整体封装设备、向外扩散设备、焊接设备、清洗设备、测试设备、制冷设备、氧化反应设备、减薄机、划片机、贴片机、单晶炉、氧化反应炉、研磨机、热处理设备、光刻机、刻蚀机、抛光机、倒角机、离子注入设备、CVD/PVD设备、涂胶/显影机、前道测试设备、湿制程设备、热加工、涂布设备、单晶片沉积系统、固晶机、等离子清洗设备、切割机、装片机、键合机、焊线机、塑封机、回流焊、波峰焊、测试机、打弯设备、分选机、机器人自动化、机器视觉、其他材料和电子专用设备、耦合机、载带成型机、检测设备、恒温恒湿试验箱、传感器、整体封装模具、测试治具、高精密滑台、步进电机、阀门、探针台、洁净室设备、水处理等；
◆封装与测试用到：测试探针台、探针卡、测量机、分选机、整体封装设备、封装基板、引线框架键合丝、芯片粘接、烧焊测试、自动化测试框架、激光切割及以外、细磨液、划片液、封片膜（胶)极高温胶带、层压板基板、贴片胶、上料板、焊线流量控制、石英石墨、碳化硅等；
◆第三代半导体：第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、基底材料、裸芯片、测试出来、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等；
◆半导体材料：硅片及硅基材料、硅晶圆、硅晶片、单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料、光刻胶教材习题解答配套试剂、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、特战化学气体、CMP抛光材料、封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片沾合材料、光阻材料、湿电子化学品、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光后片、薄膜等；
◆AI+5G：人工智能、5G开发及应用、5G手机、5G通信(方案、设备、元器件、新材料、应用等)、智慧物联、物联网、智能安全、智慧城市、智能汽车、无人驾驶、智能传感、光电产业、智慧医疗、VR/AR、无线充电、屏下指纹、生物识别、工业互联网、智慧工厂、智能机器人、智能手机、智能交通、航天航空电子、智能家电、智能电视、智能家居、智能触控、智能穿戴、无人机、多接入边缘计算、网络切片、虚拟技术、医疗电子等；
◆Mini/Micro-LED：OLED显示屏、AMOLED显示屏、Micro-LED显示屏、mini系列-LED显示屏片、驱动芯片、封装材料、蚀刻设备、剥离设备、检测设备、测试仪、光谱分析仪、测量设备、封装设备、巨量转移技术、喷涂设备；MovVD设备、液相外镀炉、返修台、光刻机、划片机、全自动固晶机、金丝球焊机、硅铝丝超声压焊机、灌胶机、真空烘箱、芯片计数仪、芯片检测仪、倒膜机、色彩变化点智能全自动分选机等。
◆电子元器件：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件/IGBT、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、控制开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各形电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品、无源器件、5G核心元器件特战队电子、元器件、电源管理、储存器、连接器、线缆、接插器件、晶振、电阻、电位器磁性元件、滤波元件、PCB板、电机风扇、电声器件、显示器件、二极管、三极管滤波元件、开关及元器件材料及设备等；
◆智慧电源：微波射频、半导体LED、离子电源、共享智慧充电、通信电源、光伏/风电/储能电源设计、功率变换器磁技术等；
◆综合：全国各地政府临时组团、半导体具体领域高科技产业园区、证券、银行、保险、基金、投资金融机构等
赞助方案：
为比较方便知名企业自身决赛当天展会的国际影响力，展示企业实力、提升品牌形象，组委会特设展会赞助方案。高效安全赞助方案，将给您在展前、展中、及展后给他更多商机、提高参展效果。
首次设置四个级别：钻石级、白金级、金牌、银牌（详细点方案备索）。
赞助商将得到追加收益：
●按照比较有效市场爆光更多所接触目标客户
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●以全球领先者的姿态参与行业盛会
●提升品牌形象及认识度
●通过新的平台建立起销售网络，提升贸易机会
●换取更多的采购商及专业卖家资料
展会参展宣传
备受瞩目的展览活动将在我们深圳城市举办一次，也让了许多行业专业人士和大多数观众的关注。能够参加展览将聚拢国内外顶尖企业和品牌，可以展示最新的科技成果和产品，为参观者带来一场极度的视觉盛宴。为参展商提供了一个广阔无边的展示平台。与此同时，展览还将围绕人工智能、虚拟现实、智慧城市等热门话题举行地一最新出论坛和讲座，请帖业内专家和学者接受充分探讨。决赛当天展览还将百炼一穿越系列互动体验活动，让观众可以不亲身感受最先去的科技产品和服务。在展览现场，你可以不和机器人并且互动沟通，打听一下最新的智能科技应用;还是可以可以体验虚拟现实技术给他的亲临其境感受，参加众多趣味游戏和活动。况且，能够参加展览还将能提供一个不可多得的商机平台，让参展商有机会与各行各业的客户和潜在合作伙伴参与交流和洽谈合作。不管是什么你是想拓展业务，那就去寻找新的商机和伙伴，决赛当天展览全是一个不可错过的机会。
